Предполага се, че тя ще бъде и достатъчно евтина да бъде използвана във всякакви устройства като мобилни телефони, таблети и други.
Учените на IBM обявиха, че са създали „памет с промяна на фазата" (Phase Change Memory - PCM), която чете и пише сто пъти по-бързо от флаш паметта и остава стабилна дори след няколко милиона цикъла записи.
Предполага се, че тя ще бъде и достатъчно евтина да бъде използвана във всякакви устройства като мобилни телефони, таблети и други.
РСМ е базирана на специален слой, който може да преминава в различни физически състояния или фази чрез контролиран поток от електричество.