От сумата 13 млрд. юана ще бъдат насочени към научноизследователска и развойна дейност, а 5 млрд. юана — към изграждането на втора фаза на база за тестване на полупроводникови пластини в град Хъфей.
Проектът е на обща стойност 24,1 млрд. юана и ще бъде реализиран за 30 месеца. Той ще се фокусира върху разработването на нови продукти и производствени процеси, включително повишаване на плътността на паметта, намаляване на енергопотреблението и подобряване на производителността.
Вторият проект, на стойност 10,8 млрд. юана, предвижда изграждането на съоръжение за тестване и сглобяване на DRAM модули в Хъфей. Според CXMT собственият капацитет за тестване ще намали зависимостта от външни доставчици, ще повиши сигурността на веригата за доставки и ще ограничи производствените разходи.
Към 30 юни 2026 г. компанията притежава 4484 китайски и 3400 чуждестранни патента, а над 33% от служителите ѝ работят в областта на научно-изследователската и развойната дейност. CXMT вече произвежда масово памети по петата си технологична платформа, включително DDR5, LPDDR5/5X и LPDDR6.
През юли CXMT набра 57,92 млрд. юана при първичното си публично предлагане. Според информации компанията планира и производствена линия за научноизследователска и развойна дейност в областта на NAND флаш паметите в новия си завод в Пекин.
