/Поглед.инфо/ Китайски изследователски екип е разработил революционно устройство за флаш памет, което може да съхранява данни със скорост един бит за 400 пикосекунди, поставяйки нов рекорд за най-бързото полупроводниково устройство за съхранение, съобщава „Синхуа“.
Наречена „PoX“, тази енергонезависима памет превъзхожда дори най-бързите технологии, на които им отнема около 1 до 10 наносекунди, за да съхранят един бит данни. Пикосекундата е една хилядна част от наносекундата или една трилионна част от секундата.
Енергонезависимите памети като SRAM и DRAM, които губят данни при загуба на захранване, са неподходящи за системи с ниска консумация на енергия, а енергоефективните енергонезависими памети като флаш памет не отговарят на изискванията за високоскоростен достъп до данни на изкуствения интелект.
Изследователите от университета Фудан разработиха двуизмерна флаш памет с графен-канал на Дирак, използвайки иновативен механизъм, който разбива границите на скоростта на съхранение и достъпа до енергонезависима информация.
Резултатите бяха публикувани в сряда в списание Nature.