Новият продукт ще използва архитектурата 4F², която позволява разполагането на повече клетки за съхранение на данни върху една и съща площ. Според компанията технологията може да увеличи плътността на паметта с 30–50% спрямо широко използваната досега архитектура 6F². В основата ѝ е специална транзисторна конструкция, предназначена да ограничи утечките на ток и да подобри надеждността на чиповете. CXMT вече е публикувала над 300 патента, свързани с разработката.
С новия продукт компанията цели да навлезе във високия сегмент на пазара на сървърна памет, доминиран от южнокорейските Samsung Electronics и SK Hynix и американската Micron Technology. Водещите производители също разработват подобни архитектури, но според експерти все още не са достигнали до масово търговско производство. Успешното внедряване на технологията би позволило на CXMT да засили позициите си във високопроизводителните чипове и да намали зависимостта на Китай от чуждестранни технологии.
Компанията вече произвежда масово памети LPDDR6, предназначени основно за мобилни устройства, както и чипове от петото си поколение DRAM платформа G5. Според анализатори това показва напредък в производството, изпитването и осигуряването на надеждност на чиповете. Новата сървърна памет обаче ще трябва да докаже, че отговаря на строгите изисквания за стабилна работа при продължително натоварване.
По данни на Counterpoint Research за второто тримесечие на 2026 г. Samsung Electronics заема 38% от световния пазар на DRAM памети по приходи, следвана от SK Hynix с 25% и Micron Technology с 24%. Китайската CXMT вече държи 10% от пазара.
